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- 从电极的结构看,溅射的方法包括（）。当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。饱和正是对应连续（）的形成。在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在（）。在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐
- 溅射的方法非常多其中包括（）。thermal conductivity gauge的意思是（）。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为（）。在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是（）。（）由钟罩、蒸气源加热器、衬底加
- 一般来说,溅射镀膜的过程包括（）这几步。半导体硅常用的施主杂质是（）。化学气相沉积的英文名称的缩写为（）。产生一个离子并导向靶#
被轰击的原子向硅晶片运动#
离子把靶上的原子轰出来#
经过加速电场加速
原子在
- （）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。薄膜沉积的机构,依发生的顺序,可以分为这几个步骤。其中不包括（）。真空蒸发又被人们称为（）。溅射率#
溅射系数
溅射效率
溅射比形成晶核
晶粒自旋#
晶粒凝结
缝道填补A.真
- （）方法是大规模集成电路生产中用来沉积不同金属的应用最为广泛的技术。在确定扩散率的测结深实验中,结深的测量是采用HF和（）的混和液对磨斜角进行化学染色的。半导体芯片生产中,离子注入主要是用来（）。蒸镀
离
- （）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。（）的方法有利于减少热预算。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩散温度为（）。按曝光的光源分类,曝光可以分为（）。硅烷的分子式是（）。蒸镀
离子注
- 用高能粒子从某种物质的表面撞击出原子的物理过程叫（）。早期,研究离子注入技术是用（）来进行的。下面那一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。清洁处理主要使用的是（）。阳树脂用盐酸做再生液,浓度为（）溶液可用原水
- 真空镀膜室是由（）几部分组成。干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。电气测量仪表若按照电流的种类来分,有（）。钟罩#
蒸气源加热器#
衬底加热器#
活动挡板#
底盘#生长的二氧化硅薄膜均匀性好#
生长的二氧化硅干燥
- 真空镀膜室内,在蒸发源加热器与衬底加热器之间装有活动挡板,用来（）。TCP/IP协议中的TCP相当于OSI中的（）。为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染,可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。（）方法是大规模集成电
- 真空镀膜室中的钟罩与底盘构成（）。在深紫外曝光中,需要使用（）光刻胶。由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。衬底加热器
抽气系统
真空室#
蒸气源加热器DQN#
CA
ARC
PMMA几伏
几十伏
几百伏
几万伏#
- （）由钟罩、蒸气源加热器、衬底加热器、活动挡板和底盘构成。奉献社会的实质是（）。用电容－电压技术来测量扩散剖面分布是用了（）的原理。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩散温度为（）。由静电释放产生
- 真空蒸发又被人们称为（）。A.真空沉积B.真空镀膜C.真空外延D.真空
- 电子束蒸发的设备中产生电子束的装置称为（）。钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是（）。由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。通常选熔断器熔断电流为
- 按加热源的不同,可以分成（）几种不同类型的蒸发。（）的方法有利于减少热预算。微电子领域内,下列测厚仪中属于有台阶的测厚仪为（）。真空蒸发#
离子束蒸发#
电子束蒸发#
粒子束蒸发
常压蒸发高压氧化#
湿氧氧化
掺
- 用真空蒸发与溅射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金属材料,是形成电极的（）。下列材料中电阻率最低的是（）。重要步骤
次要步骤
首要步骤#
不一定铝
铜
多晶硅
金#
- 为了满足半导体器件对金属材料的低电阻连接以及可靠的要求,金属材料应该满足（）。在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。阳树脂用盐酸做再生液,浓度为（）溶液可用原水配制。低电阻率#
易与p或n型硅形成欧
- （）是通过把被蒸物体加热,利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的。降低靶的温度,有利于非晶层的形成,所以临界注入量随之（）。电荷积分仪的基本单元包括（）。以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为P
- （）是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。LPCVD
PECVD
CVD
PVD#
- 薄膜沉积的机构包括那些步骤（）。扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散,改变了晶片（）,所以晶片才能被人们所使用。He,OH,Na等元素在900℃下,在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s,其中第一个步骤是（）。降低
- 物理气相沉积简称（）。一般来说,我们用一定量的（）使阳树脂再生。LVD
PED
CVD
PVD#硝酸
硫酸
盐酸#
磷酸
- 薄膜沉积的机构,依发生的顺序,可以分为这几个步骤。其中不包括（）。（）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。检验水中是否有盐酸,可用（）溶液滴入水中,如果出现白色沉淀,就表示水中有盐酸。形成晶核
晶粒自旋#
晶粒
- 晶片表面上的粒子是通过（）到达晶片的表面。分析器是一种（）分选器。在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。粒子扩散#
从气体源通过强迫性的对流传送#
化学反应#
被表面吸附#
静电吸引电子
中子
离子#
质
- 硅晶片上之所以可以产生薄膜,出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子,它们主要是通过（）到达晶片表面的。以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。粒子的扩散#
化学反应
从气体源通过强迫性的对
- 决定吸附原子彼此间能否形成一个稳定的核团,以便于进行凝结的主要因素主宰于所形成的核团是否（）而定。在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。动能最低
稳定#
运动
静止刻蚀
氧化
淀积
光
- （）主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的。二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。PVD
CVD#
溅射
蒸发电
磁
光#
热
- （）是因为吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并结合所形成的。用电容－电压技术来测量扩散剖面分布是用了（）的原理。在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚
- 化学气相沉积的英文名称的缩写为（）。早期,研究离子注入技术是用（）来进行的。在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。薄膜沉积的机构,依发生的顺序,可以分为这几个步骤。其中不包括（）。LVD
PED
CVD#
PVD
- （）专指薄膜形成的过程中,并不消耗晶片或底材的材质。当热氧化的最初阶段,（）为限制反应速率的主要原因。刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分,以化学作用或是物理
- 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。我们可以通过简单的结深测量和（）测量来获得扩散层的重要信息。射程在垂直入射方向的平面内的投影长度称之为（）。买来的新树脂往往是Na型
- 下面那一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。固体中的扩散模型主要有填隙机制和（）。在实际工作中,常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。静电偏转电极和静电扫描器都是（）电容器。薄膜沉积
薄膜成长#
蒸发
- 以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。干氧氧化法有一些优点,但同时它的缺点有（）。二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为
- 晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气,能够提高刻蚀的速率。按加热源的不同,可以
- 请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称：（）。干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在（）。复合床和混合床可以串联使
- 多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。按加热源的不同,可以分成（）几种不同类型的蒸发。二
- 单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散,改变了晶片（）,所以晶片才能被人们所使用。在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐
- 请在下列选项中选出硅化金属的英文简称：（）。半导体芯片生产中,离子注入主要是用来（）。在半导体制造中,熔断丝可以应用在（）。（）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。在对层间绝缘膜进行CMP时,层间绝缘膜的表面
- 在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。涂胶之前,要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行,下列操作正确的是（）。
- 在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度,习惯上常用（）。在确定扩散率的实验中,扩散层电阻的测量可以用（）测量。下列可作为磷扩散源的是（）。涂胶之前,
- 在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气,能够降低刻蚀的速率。He,Na等元素在900℃下,在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s,B+,Cl+,O+等离子。在磁分析器中常用（）分析磁铁。气体
等离子体#
固体
- 在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气,能够提高刻蚀的速率。thermal conductivity gauge的意思是（）。硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（）。属于铝的性质有（）
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