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晶片表面上的粒子是通过()到达晶片的表面。

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    化学反应(chemical reaction)、单晶硅(single crystal silicon)、分析器(analyzer)、强迫性(obsessive-compulsive)、多晶硅刻蚀、氮化硅刻蚀(si 3 n 4 etching)

  • [多选题]晶片表面上的粒子是通过()到达晶片的表面。

  • A. 粒子扩散
    B. 从气体源通过强迫性的对流传送
    C. 化学反应
    D. 被表面吸附
    E. 静电吸引

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  • 学习资料:
  • [单选题]分析器是一种()分选器。
  • A. 电子
    B. 中子
    C. 离子
    D. 质子

  • [单选题]在生产过程中必须使用()来完成浅沟槽隔离STI。
  • A. 单晶硅刻蚀
    B. 多晶硅刻蚀
    C. 二氧化硅刻蚀
    D. 氮化硅刻蚀(si 3 n 4 etching)

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