从电极的结构看，溅射的方法包括（）。

【名词&注释】

绝缘体(insulator)、保护层(protective layer)、电子元件(electronic component)、多晶硅(polysilicon)、氮化硅(silicon nitride)、阻挡层(barrier layer)、直流溅射(dc sputtering)、绝缘层(insulating layer)、场氧化层(field oxide)

[多选题]从电极的结构看，溅射的方法包括（）。

A. A.直流溅射^{(dc sputtering)}B.交流溅射C.二级溅射D.三级溅射E.四级溅射

查看答案&解析 查看所有试题

学习资料：

[单选题]当注入剂量增加到某个值时，损伤量不再增加，趋于饱和。饱和正是对应连续（）的形成。

A. 非晶层
B. 单晶层
C. 多晶层
D. 超晶层

[多选题]在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。

A. 晶圆顶层的保护层
B. 多层金属的介质层
C. 多晶硅与金属之间的绝缘层^{(insulating layer)}
D. 掺杂阻挡层
E. 晶圆片上器件之间的隔离

[单选题]在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体

A. 栅氧化层
B. 沟槽
C. 势垒
D. 场氧化层^{(field oxide)}

本文链接：https://www.51bdks.net/show/jog3ny.html