在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。

【名词&注释】

电导率(conductivity)、扩散系数(diffusion coefficient)、单晶硅(single crystal silicon)、黏附性(adhesion ability)、多晶硅刻蚀、氮化硅刻蚀(si 3 n 4 etching)、顺利进行、扩展电阻技术(spreading resistance technique)

[单选题]在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。

A. 单晶硅刻蚀
B. 多晶硅刻蚀
C. 二氧化硅刻蚀
D. 氮化硅刻蚀^{(si 3 n 4 etching)}

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学习资料：

[单选题]表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（）。

A. 分凝度
B. 固溶度
C. 分凝系数
D. 扩散系数

[单选题]在确定扩散率的实验中，扩散层电阻的测量可以用（）测量。

A. SIMS技术
B. 扩展电阻技术^{(spreading resistance technique)}
C. 微分电导率技术
D. 四探针技术

[多选题]下列可作为磷扩散源的是（）。

A. 磷钙玻璃
B. 三氯氧磷
C. 三氯化磷
D. 磷烷
E. 掺磷二氧化硅乳胶源

[多选题]涂胶之前，要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行，下列操作正确的是（）。

A. 进行去水烘烤以保证晶片干燥
B. 在晶片表面涂上增粘剂以保证晶片黏附性好
C. 刚刚处理好的晶片应立即涂胶
D. 贮存的晶片在涂胶前必须再次清洗及干燥
E. 也可以直接使用贮存的晶片

[单选题]涂胶以后的晶片，需要在一定的温度下进行烘烤，这一步骤称为（）。

A. 后烘
B. 去水烘烤
C. 软烤
D. 烘烤

[单选题]铜互连金属多层布线中，磨料的粒径一般为（）。

A. 5~10nm
B. 20~30nm
C. 50~80nm
D. 100~200nm

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