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- 在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在950～1100℃的条件下,扩散时间大约（）为宜。扩散工艺现在广泛应用于制作（）。4～6h
50min～2h
10～40min#
5～10min晶振
电容
电感
PN结#
- 在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。恒定表面浓度的条件下,在整个扩散期间,（）保持恒定表面浓度。硅烷的分子式是（）。在实际工作中,常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。
- 在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在900～1050℃的条件下,扩散时间大约（）为宜。当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。溅射的方法非常多其中包括（）。直流二极管辉光放电
- 在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为（）。菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。按曝光的光源分类,曝光可以分为（）。600～750℃
900～1050℃#
1100～1250℃
950～1100℃传输率#
载流子浓度
扩散
- 在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在900～1050℃的条件下,扩散时间大约（）为宜。关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是（）。下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻
- 下列可作为磷扩散源的是（）。光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低
- 半导体硅常用的受主杂质是（）。光刻工艺中,脱水烘焙的最初温度是（）。哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。真空镀膜室是由（）几部分组成。锡
硫
硼#
磷150－200℃#
200℃左右
250℃左右
300℃左右低
- 下列扩散杂质源中,（）不仅是硅常用的施主杂质,也是锗常用的施主杂质。下列哪些因素不会影响到显影效果的是（）。硼
锡
锑#
磷#
砷显影液的温度
显影液的浓度
显影液的溶解度#
显影液的化学成分
- 化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。通常热扩散分为两个大步骤,其中第一个步骤是（）。在VLSI工艺中,常用的前烘方法是（）。在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。薄膜沉积的机构包括那些步骤（）。
- 半导体硅常用的施主杂质是（）。企业的战略一般由四个要素组成,即经营范围、资源配置、竞争优势以及协同合作,其中协同合作是指企业通过共同的努力达到（）。菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。通常
- 通常热扩散分为两个大步骤,其中第一个步骤是（）。下列几种氧化方法相比,哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。早期,研究离子注入技术是用（）来进行的。电气测量仪表若按照电流的种类来分,有（）。再分布
- 在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时,需要将硅片先装入（）,然后再装入扩散炉。人类的职业道德真正形成于（）。半导体硅常用的施主杂质是（）。在VLSI工艺中,常用的前烘方法是（）。离子源腔体中的气体放电形成（）而
- 下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。为了解决中性束对注入均匀性的影响,可在系统中设有（）,使离子束偏转后再达到靶室。物理气相沉积简称（）。一般来说,我们用一定量的（）使阳树脂再生。电气测量技术的应用所
- He,OH,Na等元素在900℃下,在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s,这些元素称为（）。薄膜沉积的机构,依发生的顺序,可以分为这几个步骤。其中不包括（）。活跃杂质
快速扩散杂质#
有害杂质
扩散杂质形成晶核
晶粒自旋#
- 用电容－电压技术来测量扩散剖面分布是用了（）的原理。在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是（）。引出系统要求能引出分散性较好的强束流,还希望
- 如果磷在二氧化硅中扩散,对扩散率影响最大的因素是：（）。point defect的意思是（）。下列哪些因素会影响临界注入量的大小：（）。将具有交换能力的阳树脂和阴树脂按一定比例混合后,装在聚氯乙稀或有机玻璃做的圆柱
- 在确定扩散率的实验中,扩散层电阻的测量可以用（）测量。奉献社会的实质是（）。扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散,改变了晶片（）,所以晶片才能被人们所使用。按曝光的光源分类,曝光可以分为（）。下面那一
- 在确定扩散率的测结深实验中,结深的测量是采用HF和（）的混和液对磨斜角进行化学染色的。钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。下列有关曝光系统的说法正确的是（）
- 我们可以通过简单的结深测量和（）测量来获得扩散层的重要信息。横向电阻
平均电阻率
薄层电阻#
扩展电阻
- 恒定表面浓度的条件下,在整个扩散期间,（）保持恒定表面浓度。解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。源蒸气#
杂质和惰性气体混合物
水蒸气和杂志混合物
杂质、惰性气
- 菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。激光退火目前有（）激光退火两种。传输率#
载流子浓度
扩散梯度
扩散系数高
- 一般分析扩散系数,考虑两种条件,即恒定表面浓度条件和（）。真空镀膜室中的钟罩与底盘构成（）。直流二极管辉光放电系统是由（）构成。由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。恒定总掺杂剂量#
不恒定总掺杂剂
- 在空位扩散中,如果迁移的空位的原子是杂质原子,扩散称为（）。按曝光的光源分类,曝光可以分为（）。填隙扩散
杂质扩散#
推挤扩散
自扩散光学曝光#
离子束曝光#
接近式曝光
电子束曝光#
投影式曝光
- 在空位扩散中,如果迁移到空位的原子是基质原子,扩散属于（）。下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。目前,最广泛使用的退火方式是（）。硅晶片上之所以可以产生薄膜,出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子
- 对于浓度覆盖很宽的杂质原子,可以采用（）方法引入到硅片中。企业的战略一般由四个要素组成,即经营范围、资源配置、竞争优势以及协同合作,其中协同合作是指企业通过共同的努力达到（）。下列几种氧化方法相比,哪种方
- 固体中的扩散模型主要有填隙机制和（）。自扩散机制
杂质扩散机制
空位机制#
菲克扩散方程机制
- 扩散工艺现在广泛应用于制作（）。奉献社会的实质是（）。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在950～1100℃的条件下,下列说法正确的是（）。晶体中,每个原子在晶格中有一定的平衡位置,原子在此位置时其势能为（）。晶振
- 扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺,现在主要被用来制作（）。菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。恒定表面浓度的条件下,在整个扩散期间,（）保持恒定表面浓度。射程在垂直
- 所以晶片才能被人们所使用。钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是（）。涂胶之前,要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行,下列操作正确的是（）。目前,最广泛使用的退
- 二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。一般分析扩散系数,考虑两种条件,即恒定表面浓度条件和（）。下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。电气测量仪表中,整流式对电流的种类与频率
- 解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。早期,研究离子注入技术是用（）来进行的。电子束蒸发的设备中产生电子束的装置称为（）。危害半导体工艺的典型金属杂质是（
- 二氧化硅膜的质量要求有（）。菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于（）。对于非晶靶,离子注入的射程分布取决于（）。在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的
- 钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。为了满足半导体器件对金属材料的低电阻连接以及可靠的要求,金属材料应该满足（）。用高能粒子从某种物质的表面撞击出原子的物理过程叫（）。沾污是指半导体制造过程中引
- 二氧化硅层中的钠离子可能来源于（）。在确定扩散率的实验中,扩散层电阻的测量可以用（）测量。化学气相沉积的英文名称的缩写为（）。硅晶片上之所以可以产生薄膜,出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子,它
- 硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（）。干氧氧化法有一些优点,但同时它的缺点有（）。在深紫外曝光中,需要使用（）光刻胶。患者,男,72岁。反复无痛性肉眼血尿9个月余,近1个月自觉腰部不
- 二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。降低#
增加
不变
先降低后增加
- （）的方法有利于减少热预算。离子注入装置的主要部件有（）、分析器、加速聚焦系统等。离子注入的主要气体源中,剧毒的有（）。请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称：（）。高压氧化#
湿氧氧化
掺氯氧化
氢氧
- 表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度,习惯上常用（）。奉献社会的实质是（）。解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻
- 当二氧化硅膜很薄时,膜厚与时间（）。He,Na等元素在900℃下,在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s,这些元素称为（）。有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。对于非晶靶,离子注入的射程分布取决于（）。下列哪些因素
- 当热氧化的最初阶段,（）为限制反应速率的主要原因。温度
硅-二氧化硅界面处的化学反应#
氧的扩散速率
压力
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