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- 干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。如果磷在二氧化硅中扩散,对扩散率影响最大的因素是：（）。离子注入的主要气体源中,剧毒的有（）。生长的二氧化硅薄膜均匀性好#
生长的二氧化硅干燥#
生长的二氧化硅结构致密#
- 干氧氧化法有一些优点,但同时它的缺点有（）。哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。生长出的二氧化硅中引入很多可动离子
氧化的速度慢#
生长的二氧化硅缺陷多
生长的二氧化硅薄膜钝化效果差低温注
- 干氧氧化中,氧化炉内的气体压力应（）一个大气压。在空位扩散中,如果迁移到空位的原子是基质原子,扩散属于（）。半导体硅常用的施主杂质是（）。清洁处理主要使用的是（）。ESD产生（）种不同的静电总类。电气测量仪
- 下列几种氧化方法相比,哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。真空镀膜室中的钟罩与底盘构成（）。干氧氧化#
湿氧氧化
水汽氧化
与氧化方法无关衬底加热器
抽气系统
真空室#
蒸气源加热器
- 二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。电
磁
光#
热氮化硅
二氧化硅#
光刻胶
多晶硅
- 采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片（）的不希望有的物质。危害半导体工艺的典型金属杂质是（）。结
- 下列物质中是结晶形态二氧化硅的有（）。我们可以通过简单的结深测量和（）测量来获得扩散层的重要信息。引出系统要求能引出分散性较好的强束流,还希望具有较（）的气阻。静电偏转电极和静电扫描器都是（）电容器。
- 采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。光刻工艺中,脱水烘焙的最初温度是（）。结晶形态
非结晶形态#
可能是结晶形态的,也可能是非结晶形态的
以上都不对生长的二氧
- 局域网中使用中继器的作用是（）。干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。一般用（）测量注入的剂量。（）专指薄膜形成的过程中,并不消耗晶片或底材的材质。沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片
- TCP/IP协议中的TCP相当于OSI中的（）。采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。为了解决中性束对注入均匀性的影响,可在系统中设有（）,使离子束偏转后再达到靶室。在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更
- dry vacuum pump的意思是（）。光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。下列有关曝光系统的说法正确的是（）。光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。分析器是一种（）分选器。在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代
- thermal conductivity gauge的意思是（）。光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。在实际工作中,常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。离子束垂直进入均匀的正交磁场后,将同时受到电场力和（）的作用。
- point defect的意思是（）。为了解决中性束对注入均匀性的影响,可在系统中设有（）,使离子束偏转后再达到靶室。点缺陷#
线缺陷
面缺陷
缺失的点磁分析器
正交电磁场分析器
静电偏转电极#
束流分析仪
- 企业的战略一般由四个要素组成,即经营范围、资源配置、竞争优势以及协同合作,其中协同合作是指企业通过共同的努力达到（）。当二氧化硅膜很薄时,膜厚与时间（）。关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是（）。在深紫
- 奉献社会的实质是（）。He,OH,Na等元素在900℃下,在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s,这些元素称为（）。如果固体中的原子排列情况是紊乱的,就称之为（）。电荷积分仪的基本单元包括（）。离子注入装置的主要部件有
- 人类的职业道德真正形成于（）。采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。原始社会
奴隶社会#
封建社会
资本主义社会结晶形态
非结晶形态#
可能是结晶形态的,也可能是非结晶形态的
以上都不对
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