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干氧氧化中,氧化炉内的气体压力应()一个大气压。

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    半导体(semiconductor)、适用范围(scope of application)、有机溶剂(organic solvent)、大气压(atmospheric pressure)、自扩散(self-diffusion)、干氧氧化(dry oxidation)、杂质扩散(impurity diffusion)

  • [单选题]干氧氧化(dry oxidation)中,氧化炉内的气体压力应()一个大气压。

  • A. 稍高于
    B. 大大于
    C. 等于
    D. 没有要求

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  • 学习资料:
  • [单选题]在空位扩散中,如果迁移到空位的原子是基质原子,扩散属于()。
  • A. 推挤扩散
    B. 杂质扩散(impurity diffusion)
    C. 填隙扩散
    D. 自扩散

  • [单选题]半导体硅常用的施主杂质是()。
  • A. 锡
    B. 硫
    C. 硼
    D. 磷

  • [多选题]清洁处理主要使用的是()。
  • A. 水
    B. 有机溶剂
    C. 碱
    D. 酸
    E. 盐酸

  • [单选题]ESD产生()种不同的静电总类。
  • A. 1
    B. 4
    C. 3
    D. 2

  • [单选题]电气测量仪表中,整流式对电流的种类与频率的适用范围是()。
  • A. 直流
    B. 工频及较高频率的交流
    C. 直流及工频交流
    D. 直流及工频与较高频率的交流

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