化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。

【名词&注释】

热扩散(thermal diffusion)、加热法(heating method)、单晶硅(single crystal silicon)、多晶硅(polysilicon)、热空气(warm air)、氮化硅(silicon nitride)、水蒸汽(steam)、化合物半导体(compound semiconductor)、第一个(first)、表面浓度(surface concentration)

[单选题]化合物半导体^{(compound semiconductor)}砷化镓常用的施主杂质是（）。

A. 锡
B. 硼
C. 磷
D. 锰

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学习资料：

[单选题]通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个^(first)步骤是（）。

A. 再分布
B. 等表面浓度^{(surface concentration)}扩散
C. 预淀积
D. 等总掺杂剂量扩散

[单选题]在VLSI工艺中，常用的前烘方法是（）。

A. 热空气对流法
B. 真空热平板传导法
C. 红外线辐射法
D. 射频感应加热法

[单选题]在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。

A. 单晶硅刻蚀
B. 多晶硅刻蚀
C. 二氧化硅刻蚀
D. 氮化硅刻蚀

[多选题]薄膜沉积的机构包括那些步骤（）。

A. 形成晶核
B. 晶粒成长
C. 晶粒凝结
D. 缝道填补
E. 沉积膜成长

[多选题]一般来说，溅射镀膜的过程包括（）这几步。

A. 产生一个离子并导向靶
B. 被轰击的原子向硅晶片运动
C. 离子把靶上的原子轰出来
D. 经过加速电场加速
E. 原子在硅晶片表面凝结

[多选题]空气污染物按照处理性质来分：有（）。

A. 酸碱性气体
B. 有机性气体
C. 特殊毒性气体
D. 水蒸汽^(steam)
E. 中性气体

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