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扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺,

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    扩散系数(diffusion coefficient)、水蒸气(steam)、载流子浓度(carrier concentration)、扩散工艺(diffusion process)、投影射程(projected range)、密切相关(closely related)、表面浓度(surface concentration)、传输率(transfer rate)、单位面积(unit area)

  • [多选题]扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺,现在主要被用来制作()。

  • A. 埋层
    B. 外延
    C. PN结
    D. 扩散电阻
    E. 隔离区

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  • 学习资料:
  • [单选题]菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积(unit area)溶质()。
  • A. 传输率(transfer rate)
    B. 载流子浓度
    C. 扩散梯度
    D. 扩散系数

  • [单选题]恒定表面浓度(surface concentration)的条件下,在整个扩散期间,()保持恒定表面浓度(surface concentration)
  • A. 源蒸气
    B. 杂质和惰性气体混合物
    C. 水蒸气和杂志混合物
    D. 杂质、惰性气体、水蒸气混合物

  • [单选题]射程在垂直入射方向的平面内的投影长度称之为()。
  • A. 投影射程
    B. 射程纵向分量
    C. 射程横向分量
    D. 有效射程

  • [单选题]损伤的分布与注入离子在在靶内的()的分布密切相关。
  • A. 能量淀积
    B. 动量淀积
    C. 能量振荡
    D. 动量振荡

  • [单选题]()是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。
  • A. LPCVD
    B. PECVD
    C. CVD
    D. PVD

  • [多选题]一般来说,溅射镀膜的过程包括()这几步。
  • A. 产生一个离子并导向靶
    B. 被轰击的原子向硅晶片运动
    C. 离子把靶上的原子轰出来
    D. 经过加速电场加速
    E. 原子在硅晶片表面凝结

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