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请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称:()。

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    保护层(protective layer)、多晶硅(polysilicon)、氮化硅(silicon nitride)、阻挡层(barrier layer)、绝缘层(insulating layer)、干氧氧化(dry oxidation)

  • [单选题]请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称:()。

  • A. A.OxideB.NitrideC.SilicideD.Polycide

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  • [多选题]干氧氧化(dry oxidation)法具备以下一系列的优点()。
  • A. 生长的二氧化硅薄膜均匀性好
    B. 生长的二氧化硅干燥
    C. 生长的二氧化硅结构致密
    D. 生长的二氧化硅是很理想的钝化膜
    E. 生长的二氧化硅掩蔽能力强

  • [单选题]下列哪些元素在硅中是快扩散元素:()。
  • A. Na
    B. B
    C. P
    D. As

  • [多选题]在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在()。
  • A. 晶圆顶层的保护层
    B. 多层金属的介质层
    C. 多晶硅与金属之间的绝缘层(insulating layer)
    D. 掺杂阻挡层
    E. 晶圆片上器件之间的隔离

  • [单选题]复合床和混合床可以串联使用。复合床就是指将阳树脂和阴树脂分别装在两个()内串接起来。
  • A. 交换柱
    B. 混合床
    C. 混合柱
    D. 复合柱

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