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- 下列哪些因素会影响临界注入量的大小：（）。半导体硅常用的受主杂质是（）。射程在垂直入射方向的平面内的投影长度称之为（）。通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。在刻蚀（）过程中假
- 哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。如果磷在二氧化硅中扩散,对扩散率影响最大的因素是：（）。低温注入#
常温注入
高温注入
分子注入#
双注入#扩散剂总量
压强
温度
浓度#
- 当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。关于正胶和负胶在显影时的特点,下列说法正确的是（）。损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。薄膜沉积的机构,依发生
- 当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。饱和正是对应连续（）的形成。在VLSI工艺中,常用的前烘方法是（）。损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。静电释放带来的问题有哪些（）。非晶层#
- 对于非晶靶,离子注入的射程分布取决于（）。钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。（）主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的。入射离子的能量#
入射离子的质量#
入射离子
- 离子散射方向与入射方向的夹角,称为（）。表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度,习惯上常用（）。哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。Torr是指（）的单位。溅射的方法非常多其中包括
- 射程在垂直入射方向的平面内的投影长度称之为（）。干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度,习惯上常用（）。关于正胶和负胶在显影时的特点,下列说法正确的是（）。
- 离子从进入靶起到停止点所通过的总路程称作（）。离子源的作用是使所需要的杂质原子电离成（）离子,并通过一个引出系统形成离子束。由于水中阴阳离子都有导电能力,所以水的（）越高,水中离子数就越少。将具有交换能
- 电荷积分仪的基本单元包括（）。干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。饱和正是对应连续（）的形成。晶片表面上的粒子是通过（）到达晶片的表面。I-V转换#
V-f转
- 如果固体中的原子排列情况是紊乱的,就称之为（）。离子源的基本结构是由产生高密度等离子体的（）和引出部分组成。薄膜沉积的机构,依发生的顺序,可以分为这几个步骤。其中不包括（）。单晶靶
超晶靶
多晶靶
非晶靶#
- 在靶片前方设一抑制栅,作用是将（）抑制回去,从而保证测量的准确性。菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。我们可以通过简单的结深测量和（）测量来获得扩散层的重要信息。离子源的作用是使所需要的杂
- 一般用（）测量注入的剂量。采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。离子源腔体中的气体放电形成（）而引出正离子的。由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的,所以其（）就比以
- 在实际工作中,常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。通常热扩散分为两个大步骤,其中第一个步骤是（）。单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。用高能粒子
- 降低靶的温度,有利于非晶层的形成,所以临界注入量随之（）。在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气,能够提高刻蚀的速率。（）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。一般来说,溅射镀膜的过程包括（
- 晶体中,每个原子在晶格中有一定的平衡位置,原子在此位置时其势能为（）。point defect的意思是（）。物理气相沉积简称（）。极大值
极小值#
既不极大也不极小
小于动能点缺陷#
线缺陷
面缺陷
缺失的点LVD
PED
CVD
PV
- 离子源腔体中的气体放电形成（）而引出正离子的。采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。下列哪些因素会影响
- 半导体芯片生产中,离子注入主要是用来（）。下列扩散杂质源中,（）不仅是硅常用的施主杂质,也是锗常用的施主杂质。下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。在半导体器件制造中,对清洗用水的纯度有比较高
- 离子注入的主要气体源中,易燃、易爆的有（）。干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。在确定扩散率的实验中,扩散层电阻的测量可以用（）测量。Torr是指（）的单位。（）是通过把被蒸物体加热,利用被蒸物在高温时的饱
- 去正胶常用的溶剂有（）解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。饱和正是对应连续（）的形成。离子源产生的离子在（）的加速电场作用下得到加速。在各种离子源常
- 硅烷的分子式是（）。在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时,需要将硅片先装入（）,然后再装入扩散炉。射程在垂直入射方向的平面内的投影长度称之为（）。金相学的研磨之所以会在研磨面上造成如刮伤般的痕迹是由于在制程
- 光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。（）由钟罩、蒸气源加热器、衬底加热器、活动挡板和底盘构成。真空镀膜室是由（）几部分组成。净化室将硅片制造设备与外部环境隔离,免受诸如（）的沾污。危害半导体工艺的典型金
- 晶片经过显影后进行坚膜,坚膜的主要作用有（）。降低靶的温度,有利于非晶层的形成,所以临界注入量随之（）。除去光刻胶中剩余的溶剂#
增强光刻胶对晶片表面的附着力#
提高光刻胶的抗刻蚀能力#
有利于以后的去胶工序
- 下列哪些因素不会影响到显影效果的是（）。一般用（）测量注入的剂量。离子从进入靶起到停止点所通过的总路程称作（）。损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。阳树脂用盐酸做再生液,浓度为（）溶液可
- 有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为（）。对于非晶靶,离子注入的射程分布取决于（）。负胶受显影液的影响比较小#
正胶受显影液的影响比较小
正胶的曝光区将会膨胀
- 下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。（）的方法有利于减少热预算。二氧化硅层中的钠离子可能来源于（）。烘烤的目的是除去光刻胶中的水分
烘烤可以减轻曝光中的驻波效应#
烘烤的温度一般在300℃左右
烘烤的时间越
- 下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。薄膜沉积的机构包括那些步骤（）。电子束蒸发的设备中产生电子束的装置称为（）。为了保证保护装置能可靠地动作,27.5A的接地电流只能保
- 下列有关曝光系统的说法正确的是（）。大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。投影式同接触
- 按曝光的光源分类,曝光可以分为（）。干氧氧化法有一些优点,但同时它的缺点有（）。菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。光学曝光#
离子束曝光#
接近式曝光
电子束曝光#
投影式曝光生长出的二氧化硅中
- 涂胶以后的晶片,需要在一定的温度下进行烘烤,这一步骤称为（）。解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。分析器是一种（）分选器。物理气相沉积简称（）。为了保证保护装置能
- 在VLSI工艺中,常用的前烘方法是（）。硅烷的分子式是（）。为了满足半导体器件对金属材料的低电阻连接以及可靠的要求,金属材料应该满足（）。热空气对流法
真空热平板传导法#
红外线辐射法
射频感应加热法SiF4
SiH4#
- 光刻工艺中,脱水烘焙的最初温度是（）。一般分析扩散系数,考虑两种条件,即恒定表面浓度条件和（）。在靶片前方设一抑制栅,作用是将（）抑制回去,从而保证测量的准确性。用高能粒子从某种物质的表面撞击出原子的物理
- 要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行,下列操作正确的是（）。下列扩散杂质源中,（）不仅是硅常用的施主杂质,也是锗常用的施主杂质。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为（）。在靶片前方设一抑制栅,作
- 在深紫外曝光中,需要使用（）光刻胶。DQN#
CA
ARC
PMMA
- 在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于（）。钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。溅镀法,因为其阶梯覆盖的能力不良,很容易造成因填缝不完全所留下的（）。（
- 在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是（）。二氧化硅层中的钠离子可能来源于（）。在VLSI工艺中,常用的前烘方法是（）。决定吸附原子彼此间能否形成一个稳定的核团,以便于进行凝结的主要因素主宰于所形成的核
- 关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是（）。在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时,需要将硅片先装入（）,然后再装入扩散炉。化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在900～1050℃的
- 光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。二氧化硅膜的质量要求有（）。菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。树脂#
感光剂#
HMDS
溶剂#
PMMA薄膜表面无斑点#
薄膜中的带电离子含量符合要求#
薄膜表面无
- 关于正胶和负胶在显影时的特点,下列说法正确的是（）。当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。分析器是一种（）分选器。有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。负胶的感
- 光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。（）由钟罩、蒸气源加热器、衬底加热器、活动挡板和底盘构成。涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶
涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶
- 超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。dry vacuum pump的意思是（）。采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。降低靶的温度,有利于非晶层的形
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