下列哪些因素会影响临界注入量的大小：（）。

【名词&注释】

光刻胶、等离子(plasma)、投影射程(projected range)、半导体硅(semiconductor silicon)

[多选题]下列哪些因素会影响临界注入量的大小：（）。

A. 注入离子的质量
B. 靶的种类
C. 注入温度
D. 注入速度
E. 注入剂量

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学习资料：

[单选题]半导体硅^{(semiconductor silicon)}常用的受主杂质是（）。

A. 锡
B. 硫
C. 硼
D. 磷

[单选题]射程在垂直入射方向的平面内的投影长度称之为（）。

A. 投影射程
B. 射程纵向分量
C. 射程横向分量
D. 有效射程

[多选题]通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。

A. 光刻胶
B. 衬底
C. 表面硅层
D. 扩散区
E. 源漏区

[单选题]在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。

A. 铜
B. 铝
C. 金
D. 二氧化硅

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