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正确答案:
ABCD
注入离子的质量 靶的种类 注入温度 注入速度
题目:下列哪些因素会影响临界注入量的大小:()。
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学习资料的答案和解析:
[单选题]半导体硅常用的受主杂质是()。
硼
[单选题]射程在垂直入射方向的平面内的投影长度称之为()。
射程横向分量
[多选题]通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。
光刻胶
衬底
[单选题]在刻蚀()过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气,能够提高刻蚀的速率。
二氧化硅
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下列可作为磷扩散源的是()。
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采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是()的。
对于浓度覆盖很宽的杂质原子,可以采用()方法引入到硅片中。
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使
人类的职业道德真正形成于()。
下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有()。
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早期,研究离子注入技术是用()来进行的。
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