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- 采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度,并计算这些点的刻蚀速率而得到的。以（）等两层材料所组合而成的导电层
- 下列有关曝光系统的说法正确的是（）。投影式同接触式相比,掩模版的利用率比较高#
接触式的分辨率优于接近式#
接近式的分辨率受到衍射的影响#
投影式曝光系统中不会产生衍射现象
投影式曝光是目前采用的主要曝光系统
- 如果磷在二氧化硅中扩散,对扩散率影响最大的因素是：（）。point defect的意思是（）。下列哪些因素会影响临界注入量的大小：（）。将具有交换能力的阳树脂和阴树脂按一定比例混合后,装在聚氯乙稀或有机玻璃做的圆柱
- 在确定扩散率的实验中,扩散层电阻的测量可以用（）测量。奉献社会的实质是（）。扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散,改变了晶片（）,所以晶片才能被人们所使用。按曝光的光源分类,曝光可以分为（）。下面那一
- 在确定扩散率的测结深实验中,结深的测量是采用HF和（）的混和液对磨斜角进行化学染色的。钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。下列有关曝光系统的说法正确的是（）
- 我们可以通过简单的结深测量和（）测量来获得扩散层的重要信息。横向电阻
平均电阻率
薄层电阻#
扩展电阻
- 恒定表面浓度的条件下,在整个扩散期间,（）保持恒定表面浓度。解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。源蒸气#
杂质和惰性气体混合物
水蒸气和杂志混合物
杂质、惰性气
- 菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。激光退火目前有（）激光退火两种。传输率#
载流子浓度
扩散梯度
扩散系数高
- 一般分析扩散系数,考虑两种条件,即恒定表面浓度条件和（）。真空镀膜室中的钟罩与底盘构成（）。直流二极管辉光放电系统是由（）构成。由静电释放产生的电流泄放最大电压可以达（）。恒定总掺杂剂量#
不恒定总掺杂剂
- 在空位扩散中,如果迁移的空位的原子是杂质原子,扩散称为（）。按曝光的光源分类,曝光可以分为（）。填隙扩散
杂质扩散#
推挤扩散
自扩散光学曝光#
离子束曝光#
接近式曝光
电子束曝光#
投影式曝光
- 在空位扩散中,如果迁移到空位的原子是基质原子,扩散属于（）。下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。目前,最广泛使用的退火方式是（）。硅晶片上之所以可以产生薄膜,出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子
- 对于浓度覆盖很宽的杂质原子,可以采用（）方法引入到硅片中。企业的战略一般由四个要素组成,即经营范围、资源配置、竞争优势以及协同合作,其中协同合作是指企业通过共同的努力达到（）。下列几种氧化方法相比,哪种方
- 固体中的扩散模型主要有填隙机制和（）。自扩散机制
杂质扩散机制
空位机制#
菲克扩散方程机制
- 扩散工艺现在广泛应用于制作（）。奉献社会的实质是（）。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在950～1100℃的条件下,下列说法正确的是（）。晶体中,每个原子在晶格中有一定的平衡位置,原子在此位置时其势能为（）。晶振
- 扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺,现在主要被用来制作（）。菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。恒定表面浓度的条件下,在整个扩散期间,（）保持恒定表面浓度。射程在垂直
- 所以晶片才能被人们所使用。钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是（）。涂胶之前,要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行,下列操作正确的是（）。目前,最广泛使用的退
- 二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。一般分析扩散系数,考虑两种条件,即恒定表面浓度条件和（）。下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。电气测量仪表中,整流式对电流的种类与频率
- 解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。早期,研究离子注入技术是用（）来进行的。电子束蒸发的设备中产生电子束的装置称为（）。危害半导体工艺的典型金属杂质是（
- 二氧化硅膜的质量要求有（）。菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（）。在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于（）。对于非晶靶,离子注入的射程分布取决于（）。在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的
- 钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。为了满足半导体器件对金属材料的低电阻连接以及可靠的要求,金属材料应该满足（）。用高能粒子从某种物质的表面撞击出原子的物理过程叫（）。沾污是指半导体制造过程中引
- 二氧化硅层中的钠离子可能来源于（）。在确定扩散率的实验中,扩散层电阻的测量可以用（）测量。化学气相沉积的英文名称的缩写为（）。硅晶片上之所以可以产生薄膜,出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子,它
- 硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（）。干氧氧化法有一些优点,但同时它的缺点有（）。在深紫外曝光中,需要使用（）光刻胶。患者,男,72岁。反复无痛性肉眼血尿9个月余,近1个月自觉腰部不
- 二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。降低#
增加
不变
先降低后增加
- （）的方法有利于减少热预算。离子注入装置的主要部件有（）、分析器、加速聚焦系统等。离子注入的主要气体源中,剧毒的有（）。请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称：（）。高压氧化#
湿氧氧化
掺氯氧化
氢氧
- 表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度,习惯上常用（）。奉献社会的实质是（）。解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻
- 当二氧化硅膜很薄时,膜厚与时间（）。He,Na等元素在900℃下,在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s,这些元素称为（）。有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。对于非晶靶,离子注入的射程分布取决于（）。下列哪些因素
- 当热氧化的最初阶段,（）为限制反应速率的主要原因。温度
硅-二氧化硅界面处的化学反应#
氧的扩散速率
压力
- 干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。如果磷在二氧化硅中扩散,对扩散率影响最大的因素是：（）。离子注入的主要气体源中,剧毒的有（）。生长的二氧化硅薄膜均匀性好#
生长的二氧化硅干燥#
生长的二氧化硅结构致密#
- 干氧氧化法有一些优点,但同时它的缺点有（）。哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量：（）。生长出的二氧化硅中引入很多可动离子
氧化的速度慢#
生长的二氧化硅缺陷多
生长的二氧化硅薄膜钝化效果差低温注
- 干氧氧化中,氧化炉内的气体压力应（）一个大气压。在空位扩散中,如果迁移到空位的原子是基质原子,扩散属于（）。半导体硅常用的施主杂质是（）。清洁处理主要使用的是（）。ESD产生（）种不同的静电总类。电气测量仪
- 下列几种氧化方法相比,哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。真空镀膜室中的钟罩与底盘构成（）。干氧氧化#
湿氧氧化
水汽氧化
与氧化方法无关衬底加热器
抽气系统
真空室#
蒸气源加热器
- 对于浓度覆盖很宽的杂质原子,可以采用（）方法引入到硅片中。离子注入
溅射
淀积
扩散#
- 早期,研究离子注入技术是用（）来进行的。物理气相沉积简称（）。重离子加速器#
热扩散炉
质子分析仪
轻离子分析器LVD
PED
CVD
PVD#
- 下列哪些因素不会影响到显影效果的是（）。在半导体制造中,熔断丝可以应用在（）。薄膜沉积的机构包括那些步骤（）。显影液的温度
显影液的浓度
显影液的溶解度#
显影液的化学成分MOS栅极
保护性元件#
电容器极板
制
- 光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。晶体中,每个原子在晶格中有一定的平衡位置,原子在此位置时其势能为（）。Torr是指（）的单位。为了解决中性束对注入均匀性的影响,可在系统中设有（）,使离子束偏转后再
- 二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。电
磁
光#
热氮化硅
二氧化硅#
光刻胶
多晶硅
- TCP/IP协议中的TCP相当于OSI中的（）。下列物质中是结晶形态二氧化硅的有（）。关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是（）。下列有关曝光系统的说法正确的是（）。应用层
网络层
物理层
传输层#硅土
石英#
磷石英#
- 下列有关曝光系统的说法正确的是（）。电气测量仪表若按照电流的种类来分,有（）。投影式同接触式相比,掩模版的利用率比较高#
接触式的分辨率优于接近式#
接近式的分辨率受到衍射的影响#
投影式曝光系统中不会产生衍
- 采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。患者,男,72岁。反复无痛性肉眼血尿9个月余,近1个月自觉腰部不适、胀痛,偶见黏液中有“烂肉”脱落,膀胱镜检见左侧输尿管口喷血,MRI检查见下图。最可能的诊断是（）结
- 在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为（）。离子注入的主要气体源中,易燃、易爆的有（）。铜与铝相比较,其性质有（）。下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。请在下列选项中选出硅化金属的英
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