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- 薄膜沉积的机构包括那些步骤（）。扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散,改变了晶片（）,所以晶片才能被人们所使用。He,OH,Na等元素在900℃下,在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s,其中第一个步骤是（）。降低
- 物理气相沉积简称（）。一般来说,我们用一定量的（）使阳树脂再生。LVD
PED
CVD
PVD#硝酸
硫酸
盐酸#
磷酸
- 薄膜沉积的机构,依发生的顺序,可以分为这几个步骤。其中不包括（）。（）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。检验水中是否有盐酸,可用（）溶液滴入水中,如果出现白色沉淀,就表示水中有盐酸。形成晶核
晶粒自旋#
晶粒
- 晶片表面上的粒子是通过（）到达晶片的表面。分析器是一种（）分选器。在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。粒子扩散#
从气体源通过强迫性的对流传送#
化学反应#
被表面吸附#
静电吸引电子
中子
离子#
质
- 硅晶片上之所以可以产生薄膜,出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子,它们主要是通过（）到达晶片表面的。以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。粒子的扩散#
化学反应
从气体源通过强迫性的对
- 决定吸附原子彼此间能否形成一个稳定的核团,以便于进行凝结的主要因素主宰于所形成的核团是否（）而定。在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。动能最低
稳定#
运动
静止刻蚀
氧化
淀积
光
- （）主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的。二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。PVD
CVD#
溅射
蒸发电
磁
光#
热
- （）是因为吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并结合所形成的。用电容－电压技术来测量扩散剖面分布是用了（）的原理。在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚
- 化学气相沉积的英文名称的缩写为（）。早期,研究离子注入技术是用（）来进行的。在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。薄膜沉积的机构,依发生的顺序,可以分为这几个步骤。其中不包括（）。LVD
PED
CVD#
PVD
- （）专指薄膜形成的过程中,并不消耗晶片或底材的材质。当热氧化的最初阶段,（）为限制反应速率的主要原因。刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分,以化学作用或是物理
- 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。我们可以通过简单的结深测量和（）测量来获得扩散层的重要信息。射程在垂直入射方向的平面内的投影长度称之为（）。买来的新树脂往往是Na型
- 下面那一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。固体中的扩散模型主要有填隙机制和（）。在实际工作中,常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。静电偏转电极和静电扫描器都是（）电容器。薄膜沉积
薄膜成长#
蒸发
- 如果固体中的原子排列情况是紊乱的,就称之为（）。电离气体与普通气体的不同之处在于：后者是由电中性的分子或原子组成的,前者则是（）和中性粒子组成的集合体。单晶靶
超晶靶
多晶靶
非晶靶#离子
原子团
电子
带电
- 以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。干氧氧化法有一些优点,但同时它的缺点有（）。二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为
- 晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气,能够提高刻蚀的速率。按加热源的不同,可以
- 一般分析扩散系数,考虑两种条件,即恒定表面浓度条件和（）。晶片经过显影后进行坚膜,坚膜的主要作用有（）。硅烷的分子式是（）。Torr是指（）的单位。通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低
- 晶体中,每个原子在晶格中有一定的平衡位置,原子在此位置时其势能为（）。当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。下面那一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。极大值
极小值#
- 局域网中使用中继器的作用是（）。在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在950～1100℃的条件下,扩散时间大约（）为宜。可以实现两个以上同类网络的联接
可以实现异种网络的互连
实现信号的收集、缓冲及格式的变换
实现传
- 请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称：（）。干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在（）。复合床和混合床可以串联使
- 多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。按加热源的不同,可以分成（）几种不同类型的蒸发。二
- 离子散射方向与入射方向的夹角,称为（）。渐近角
偏折角
散射角#
入射角
- 如果固体中的原子排列情况是紊乱的,就称之为（）。硅晶片上之所以可以产生薄膜,出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子,它们主要是通过（）到达晶片表面的。单晶靶
超晶靶
多晶靶
非晶靶#粒子的扩散#
化学反
- 单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散,改变了晶片（）,所以晶片才能被人们所使用。在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐
- 请在下列选项中选出硅化金属的英文简称：（）。半导体芯片生产中,离子注入主要是用来（）。在半导体制造中,熔断丝可以应用在（）。（）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。在对层间绝缘膜进行CMP时,层间绝缘膜的表面
- 在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。涂胶之前,要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行,下列操作正确的是（）。
- 在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度,习惯上常用（）。在确定扩散率的实验中,扩散层电阻的测量可以用（）测量。下列可作为磷扩散源的是（）。涂胶之前,
- 在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气,能够降低刻蚀的速率。He,Na等元素在900℃下,在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s,B+,Cl+,O+等离子。在磁分析器中常用（）分析磁铁。气体
等离子体#
固体
- 在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气,能够提高刻蚀的速率。thermal conductivity gauge的意思是（）。硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（）。属于铝的性质有（）
- 下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。一般来说,溅射镀膜的过程包括（）这几步。电流通过导线时,在导线里因电阻损耗而产生热量,导线的温度就会升高。导
- 为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀,必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。通常热扩散分为两个大步骤,其中第一个步骤是（）。在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时,需要
- 溅镀法,因为其阶梯覆盖的能力不良,很容易造成因填缝不完全所留下的（）。当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数
- 铜与氯形成的化合物挥发能力不好,因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行,而必须施以（）。在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在（）。净化室将硅片制造设备与外部环境隔离,免受诸如（）的沾污。等离子体刻
- 大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。饱和正是对应连续（）的形成。薄膜厚度#
图形宽度
图形长度
图形间隔非晶
- 不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。在半导体工艺中,淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。A.CHF3B.C2F6C.C3F8D.HF均匀性#
表面平整度#
自由应力#
纯净度#
电容#
- 刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度,并计算这些点的刻蚀速率而得到的。去正胶常用的溶剂有（）选择性
均匀性#
轮廓
刻蚀图案丙酮#
氢氧化钠溶液#
丁酮#
甲乙酮
- 通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。下列哪些因素不会影响到显影效果的是（）。为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染,可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。请在下列选项中选出硅化金
- 干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。He,OH,Na等元素在900℃下,在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s,这些元素称为（）。损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。（）是通过把被蒸物体加热,利用被蒸物在
- 为了解决中性束对注入均匀性的影响,可在系统中设有（）,使离子束偏转后再达到靶室。按加热源的不同,可以分成（）几种不同类型的蒸发。电气测量仪表中,整流式对电流的种类与频率的适用范围是（）。磁分析器
正交电磁
- 电离气体与普通气体的不同之处在于：后者是由电中性的分子或原子组成的,前者则是（）和中性粒子组成的集合体。采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。由于干法刻蚀中
- 恒定表面浓度的条件下,在整个扩散期间,（）保持恒定表面浓度。源蒸气#
杂质和惰性气体混合物
水蒸气和杂志混合物
杂质、惰性气体、水蒸气混合物
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