2022集成电路制造工艺员题库集成电路制造工艺员（三级）题库模拟考试系统212

1. [单选题]一般分析扩散系数，考虑两种条件，即恒定表面浓度^{(surface concentration)}条件和（）。

A. 恒定总掺杂剂量
B. 不恒定总掺杂剂量
C. 恒定杂志浓度
D. 不恒定杂志浓度

2. [多选题]晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。

A. 除去光刻胶中剩余的溶剂
B. 增强光刻胶对晶片表面的附着力
C. 提高光刻胶的抗刻蚀能力
D. 有利于^{(beneficial to)}以后的去胶工序
E. 减少光刻胶的缺陷

3. [单选题]硅烷的分子式是（）。

A. SiF4
B. SiH4
C. CH4
D. SiC

4. [单选题]Torr是指（）的单位。

A. 真空度
B. 磁场强度
C. 体积
D. 温度

5. [多选题]通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。

A. 光刻胶
B. 衬底
C. 表面硅层
D. 扩散区
E. 源漏区

6. [单选题]单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。

A. 氮化硅
B. 二氧化硅
C. 光刻胶
D. 多晶硅

7. [单选题]化学气相沉积的英文名称^{(english terms)}的缩写为（）。

A. LVD
B. PED
C. CVD
D. PVD

8. [单选题]物理气相沉积简称（）。

A. LVD
B. PED
C. CVD
D. PVD

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