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- 快速热处理是一种小型的快速加热系统,带有辐射热和冷却源,通常一次处理一片硅片。正确#
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- 传统的0.25μm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化。正确#
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- 氧化物有两个生长阶段来描述,分别是线性阶段和抛物线阶段。正确#
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- 虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词,但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结,取而代之的是离子注入。正确#
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- 栅氧一般通过热生长获得。正确#
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- 二氧化硅是一种介质材料,不导电。正确#
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- 硅上的自然氧化层并不是一种必需的氧化材料,在随后的工艺中要清洗去除。正确#
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- 暴露在高温的氧气氛围中,硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。正确#
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- 当硅片暴露在空气中时,会立刻生成一层无定形的氧化硅薄膜。正确#
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- 85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。正确#
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- 成品率是指在一片晶圆上所有芯片中好芯片所占的百分比。正确#
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- 区熔法是20世纪50年代发展起来的,能生产到目前为止最纯的硅单晶,含氧量非常少。正确#
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- CZ直拉法是按照在20世纪90年代初期它的发明者的名字来命名的。正确#
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- 西门子工艺生产的硅没有按照希望的晶体顺序排列原子。正确#
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- 冶金级硅的纯度为98%。正确#
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- 半导体级硅的纯度为99.9999999%。正确#
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- 制作钨塞的主要工艺步骤是：1、（）；2、（）；3、（）；4、磨抛钨。钛淀积阻挡层；氮化钛淀积；钨淀积
- 制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片,称为硅片或（）。在硅片制造厂,由硅片生产的半导体产品,又被称为（）或（）。硅衬底；微芯片；芯片
- 制作通孔的主要工艺步骤是：1、（）；2、（）；3、（）。第一层层间介质氧化物淀积；氧化物磨抛；第十层掩模和第一层层间介质刻蚀
- 集成电路的制造分为五个阶段,分别为（）、（）、硅片测试和拣选、（）、终测。硅片制造备；硅片制造；装配和封装
- 集成电路的发展时代分为（）、中规模集成电路MSI、（）、超大规模集成电路VLSI、（）。小规模集成电路SSI；大规模集成电路LSI；甚大规模集成电路ULSI
- 芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散区、（）、刻蚀区、（）、（）和抛光区。光刻区；注入区；薄膜区
- 热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构,这种方法受到（）和（）的影响。高温；时间；温度
- 硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。预淀积；推进；激活
- 扩散是物质的一个基本性质,描述了（）的情况。其发生有两个必要条件（）和（）。一种物质在另一种物质中的运动；一种材料的浓度必须高于另一种材料的浓度；系统内必须有足够的能量使高浓度的材料进入或通过另一种材
- 杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即（）,才有助于形成半导体硅。间隙式扩散机制；替代式扩散机制；激活杂质后
- 扩散是物质的一个基本性质,分为三种形态（）扩散、（）扩散和（）扩散。气相；液相；固相
- 刻蚀剖面指的是（）,有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。被刻蚀图形的侧壁形状；各向同性；各向异性
- 刻蚀是用（）或（）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程,其基本目标是（）。化学方法；物理方法；在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
- 随着铜布线中大马士革工艺的引入,金属化工艺变成刻蚀（）以形成一个凹槽,然后淀积（）来覆盖其上的图形,再利用（）把铜平坦化至ILD的高度。介质；金属；CMP
- 在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。化学作用；物理作用；化学作用与物理作用混合
- 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（）,两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同,前者是（）,后者是（）。正性光刻；负性光刻胶；正性光刻胶
- CMP是一种表面（）的技术,它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面,在硅片和抛光头之间有（）,并同时施加（）。全局平坦化；磨料；压力
- 终点检测是指（）的一种检测到平坦化工艺把材料磨到一个正确厚度的能力。两种最常用的原位终点检测技术是（）和（）。CMP设备；电机电流终点检测；光学终点检测
- 硅片平坦化的四种类型分别是（）、部分平坦化、（）和（）。平滑；局部平坦化；全局平坦化
- 在半导体制造业中,最早的互连金属是（）,在硅片制造业中最普通的互连金属是（）,即将取代它的金属材料是（）。铝；铝；铜
- 写出三种半导体制造业的金属和合金（）、（）和（）。Al；Cu；铝铜合金
- 如果淀积的膜在台阶上过度地变薄,就容易导致高的（）、（）或者在器件中产生不希望的（）。膜应力；电短路；诱生电荷
- 对芯片互连的金属和金属合金来说,它所必备一些要求是（）、高黏附性、（）、（）、可靠性、抗腐蚀性、应力等。导电率；淀积；平坦化
- 缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。等离子体增强化学气相淀积；低压化学气相淀积；常压化学气相淀积
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