为了解决中性束对注入均匀性的影响，可在系统中设有（），使离子

【名词&注释】

离子注入(ion implantation)、功率密度(power density)、应用层(application layer)、继电保护装置(relay protection device)、物理层(physical layer)、离子束(ion beam)、激光束(laser beam)、分析器(analyzer)、激光退火(laser annealing)

[单选题]为了解决中性束对注入均匀性的影响，可在系统中设有（），使离子束偏转后再达到靶室。

A. 磁分析器^(analyzer)
B. 正交电磁场分析器^(analyzer)
C. 静电偏转电极
D. 束流分析仪

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学习资料：

[单选题]TCP/IP协议中的TCP相当于OSI中的（）。

A. 应用层
B. 网络层
C. 物理层
D. 传输层

[单选题]二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。

A. 电
B. 磁
C. 光
D. 热

[单选题]（）就是用功率密度很高的激光束^{(laser beam)}照射半导体表面，使其中离子注入层在极短的时间内达到高温，消除损伤。

A. 热退火
B. 激光退火^{(laser annealing)}
C. 连续激光退火^{(laser annealing)}
D. 脉冲激光退火^{(laser annealing)}

[单选题]为了保证保护装置能可靠地动作，27.5A的接地电流只能保证断开动作电流不超过多少的继电保护装置。（）

A. 18.3A
B. 13.8A
C. 11A
D. 9.2A

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