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- 下列不属于非晶硅优点的是（）.制备方法简单
工艺成本低
制备温度高#
可大面积制备
- 参杂硼元素的半导体是（）.p型半导体#
本征半导体
N型半导体
pn结
- 其中不属于多晶硅的生产方法的是（）.SiCl4法
硅烷法
直拉法#
西门子改良法
- 下列不属于工业吸附要求的是（）。具有较大的内表面,吸附容量大
具有一定的机械强度,耐热冲击,耐腐蚀
不易得,昂贵#
容易再生
- 下列不属于三氯氢硅性质的是（）。A、无色透明
B、易燃易爆
C、不易挥发和水解#
D、有刺激性气味
- 下列与硼氧复合体缺陷无关的是（）。A、氧
B、硼
C、温度
D、湿度#
- 尽量提高晶转可以改善晶体中杂质分布的径向均匀性,如果晶转过高,会导致固液界面的形状（）。下列铸造多晶硅的制备方法中,（）没有坩埚的消耗,降低了成本,同时又可减少杂质污染长度。直导体切割磁力线产生感应电动势
- 硅的晶格结构和能带结构分别是（）.II-VI族化合物中的M空位Vm是（）。金刚石型和直接禁带型
闪锌矿型和直接禁带型
金刚石型和间接禁带型#
闪锌矿型和间接禁带型点阵中的金属原子间隙
一种在禁带中引入施主的点缺陷
- 通过（）改变驱动力场,借以控制生长系统中的成核率,这是晶体生长工艺中经常使用的方法。电场强度的单位符号是（）。电阻与电感串联的交流电路中,当电阻与感抗相等时,则电压与电流的相位关系是（）。A、温度场#
B、磁
- 如果半导体中存在多种杂质,在通常情况下,可以认为基本上属于杂质饱和电离范围,其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为（）.载流导体在磁场中所受到磁场力的方向由（）确定。在纯电感交流电路中,电压保持不变,提高电源
- 固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中,在（）摄氏度以上进行常规热处理。如果半导体中存在多种杂质,在通常情况下,可以认为基本上属于杂质饱和电离范围,其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为（）.在晶体凝固过程
- 直拉单晶中氧含量头部和尾部相比（）。硅元素的原子序数是（）.测量硅中氧浓度常用的方法是（）.较高#
相同
较低
无法判断13
14#
15
16带电粒子活化法
熔化分析法
离子质谱法
红外光谱分析法#
- X射线定向法的误差可以控制在范围内,准确度高。（）±10＇
±15＇#
±20＇
±30＇
- 失效表明离子交换树脂可供交换的（）大为减少。下列不属于非晶硅优点的是（）.Cｌ¯
NA
H﹢和OH¯#
CA制备方法简单
工艺成本低
制备温度高#
可大面积制备
- 下列哪一项不是天然水的三大杂质？（）悬浮物质
挥发物质#
胶体物质
溶解物质
- 光图定向法结果直观,操作（）,误差（）。固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中,在（）摄氏度以上进行常规热处理。A．简单较大#
B．复杂较大
C．简单较小
D．复杂较小A、300
B、400#
C、500
D、600
- 悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时,采用快速区熔法的工艺时,第一次区熔时,第一区熔区停留挥发时间（）左右。3ｍｉｎ
5ｍｉｎ
7ｍｉｎ
10ｍｉｎ#
- （）是影响硅器件成品率的一个重要因素,也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。通过（）改变驱动力场,借以控制生长系统中的成核率,这是晶体生长工艺中经常使用的方法。Si中掺金的工艺主要用于制造（）器件。
- 用冷热探笔法测量（）半导体时,冷端带正电,热端带负电。正常凝固是最宽熔区的区域提纯,在进行第一次熔化过后,能不能进入第二次提纯这个阶段（）.P型#
N
PN型
以上皆不是A、能#
B、不能
C、不确定
D、有时可以,有时不
- 半导体材料的电阻率与（）,以及载流子迁移率有关。载流子的浓度
- 硅半导体的导电过程存在（）和空穴两种载流子。电流所产生磁场的方向按（）确定。电子A、欧姆定律
B、右手螺旋定则#
C、基尔霍夫定律
D、楞次定律
- 测出的就是点接触外表面的导电类型。要求（）,无氧化层,清洁无油污。电场强度的单位符号是（）。表面无反型层A、V/m#
B、V
C、W
D、VA
- 光电导衰退法是目前应用最广的方法,它有（）和直流光电导之分。一般情况下,电力系统的自然功率因数（）。高频光电导A、滞后且小于1#
B、超前且小于1
C、等于1
D、等于零
- 当任何一种高速运动的（）与一块金属物质相撞时,都会产生X射线。带电粒子
- 目前测定硅单晶中的氧,碳含量最常用的方法（）收法。下列哪一项不是天然水的三大杂质？（）红外吸悬浮物质
挥发物质#
胶体物质
溶解物质
- 在晶体学上,选取与宏观晶体有同样对称性的平行六面体来作为（）,它构成体的最小单位。一般情况下,电力系统的自然功率因数（）。晶胞A、滞后且小于1#
B、超前且小于1
C、等于1
D、等于零
- 晶体中最邻近的两个平行晶面间的距离称为晶面间距,晶面指数最低的晶面总是具有（）的晶面间距。最大
- 电类型测量的具体方法（）,三探针法,四探针法,最小电导率出现在（）型半导体。冷热探笔法n
p#
本征
- 硅单晶的（）是一个重要的基本电学参数。根据单晶制备时所参杂的元素,它们是三价的还是五价的,可以将单晶化分为P型和N型两大类。Si中掺金的工艺主要用于制造（）器件。导电类型高可靠性
高频#
大功率
高电压
- 电阻率条纹上没有微缺陷蚀坑,宏观上看不见小白点,腐蚀面为镜面,这是（）和电阻率条纹最重要的区别。当晶体生长的较快,内坩埚中杂质量变少,晶体的电阻率（）.若一种材料的电阻率随温度升高先下降后升高,则该材料是（
- 金相显微镜（）,照明系统,机械系统几部分构成。下列不属于非晶硅优点的是（）.光学系统制备方法简单
工艺成本低
制备温度高#
可大面积制备
- 半导体晶体缺陷可以分为（）和微观缺陷,以及点阵应变和表面机械损伤。宏观缺陷
- 快速腐蚀时一般不受光照影响,而慢速腐蚀时（）影响比较大。光照
- 目前常用的测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法,一般可分为两大类,（）,稳态法（间接法）。失效表明离子交换树脂可供交换的（）大为减少。瞬态法(直接法)Cｌ¯
NA
H﹢和OH¯#
CA
- 四探针法测试,C的大小取决于四探针的（）和针距。正常凝固是最宽熔区的区域提纯,在进行第一次熔化过后,能不能进入第二次提纯这个阶段（）.若某半导体导带中电子出现几率为零,则此半导体必定（）。排列方式A、能#
B、
- 非平衡载流子的寿命ζ,就是反映（）的参数。复合强弱
- （）是半导体单晶重要电学参数之一,它反映了补偿后的杂质浓度,与半导体中的载流子浓度有直接关系。电子在晶体中的共有化运动是指（）。II-VI族化合物中的M空位Vm是（）。电阻率电子在晶体中各处出现的几率相同
电子
- 目前国内外导电类型测量有两种（）,整流效应法。电容量的单位符号是（）。温差电动势法A、C
B、F#
C、S
D、T
- 氧和碳在硅晶体中都呈（）分布。列多晶硅生长过程中需要通入氩气做保护气的是（）.螺旋纹状加热
化料#
晶体生长
冷却
- 自然界存在的水（江水,河水,湖水）称为（）。纯电感电路中的电流与电压的相位关系是（）。天然水A、电压超前π/2#
B、电压滞后π/2
C、同相
D、反相
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