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悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时,采用快速区熔法的工艺时,第

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    多晶硅(polysilicon)、第一次(the first time)

  • [单选题]悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时,采用快速区熔法的工艺时,第一次区熔时,第一区熔区停留挥发时间()左右。

  • A. 3min
    B. 5min
    C. 7min
    D. 10min

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