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- 在双胶片技术中按照感光度高低的胶片的曝光曲线选取感光度高的胶片后,应按照曝光曲线对（）给出的曝光量进行透照。防止焊瘤的措施有（）。柱面波是指波源为一无限长柱体,任意时刻的波阵面为一（）。下列不能表示5P6×
- K值为焊缝的透照厚度比,纵缝的AB级的K值不大于（）。1.0
0.06
1.03#
1.01
- 根据X射线机的X射线束辐射角θ,计算透照场范围的公式为（）。实际探伤中,所用X射线束是（）。射线源焦点尺寸太大造成（）。决定Χ射线管靶材适用性的两个因素是（）。在中低能量射线照相中,使用铅增感屏的底片的固有不
- 某给定物质对连续X射线而言,其线衰减系数（）。换能器声压波动区域的长度主要取决于换能器的（）。A型扫描显示中,（）是指始脉冲宽度和仪器阻塞的恢复时间。γ射线源的辐射输出又称为特性强度,通常以有效输出表示,其
- 10Ci钴60γ射线源衰减到1.25Ci,需要的时间约为（）。再热裂纹产生于焊接的（）区。在有底波出现的直探头探伤中,缺陷一次回波的显示情况可能有（）。远场区是指远离探头,随着（）的增加,声压单调下降的区域。根据X射线
- γ射源的辐射输出,又称为特性强度,通常以有效输出表示,其单位为（）。沸腾钢,浇注前末作（）处理。下列不属于探头的性能指标有（）。对一个未加工的粗糙锻件进行磁粉探伤时,发现一个向各个方向延伸的显示。显示看起来
- 电磁波波长的数学计算式为（）。为了检出高强度钢螺栓螺纹部分的周向缺陷,适用的方法是（）。λ=ch
λ=c/v#
λ=hv
λ=cv剩磁法、湿法
线圈法
荧光磁粉
A、B和C#
- 未经曝光而直接进行暗室处理后所得底片黑度称为（）。入射角达到第二临界角时,会发生（）。晶片厚度与其（）频率的乘积叫做频率常数。本底灰雾度
原始灰雾度
胶片固有灰雾度
A、B和C#表面波全反射
切变波45°折射
切
- 设入射线强度为I0,透过射线强度为I,散射线强度为Is,则散射比n定义为（）。一次结晶过程中。由于冷却速度快,会产生化学成份分布不均匀现象,这种现象称为（）。波源和弹性介质是（）的条件。探头晶片尺寸越大,其指向角
- 使用γ射线或高能Χ射线透照厚工件时,胶片类型和胶片（）的选择十分重要。半波透声层指的是使耦合层厚度为其半波长的（）。如曝光量增加1倍,底片黑度增加0.09,该胶片反差系数为（）。如果零件不能按图纸完全检验,则（
- 感光胶片的“潜影”形成后,若相隔（）时间显影,影像就会变淡,这种现象称之为潜影衰退。波阵面是指波在弹性介质中传播时,同一时刻介质中振动相位（）的所有各点的轨迹。下列问题中适于康普顿背散射成像技术检验的是（）
- 在射线照射下,胶片乳剂层中的卤化银感光微粒将发生变化,可以形成潜在的影像,称为。（）。设入射线强度为I0,透过射线强度为I,散射线强度为Is,则散射比n定义为（）。下面（）不是退磁的正当理由。衰退
电离
潜影#
照射
- 胶片经曝光后产生的潜影（）。弯曲试验可以考核试样的多项性能,包括检测焊缝致密性,以及（）。Χ射线、γ射线和α粒子有一个共同点,即它们都是（）。设入射线强度为I0,透过射线强度为I,散射线强度为Is,则散射比n定义为
- 采用中子照相法时,其曝光需要先经过转换屏转换,然后（）。通常所指的金属材料的性能是（）。某给定物质对连续X射线而言,其线衰减系数（）。X射线工业电视应配（）的X射线机。焊缝中的裂纹缺陷一般用（）与未焊透相区
- 在中子照相中需要使用转换屏,它在接受中子照射后能放出（）辐射而使X射线胶片感光。惠更斯原理是介质中波动传到的任意一点都可看作为发射子波的波源,在其后的每一时刻,这些子波的（）就形成了一个新的波阵面影响仪器
- 采用4.5㎜×4.5mm方形有效焦点的X光机透照厚度100mm的工件,当焦距为1000mm时,其“几何不清晰度”为（）。在有底波出现的直探头探伤中,缺陷一次回波的显示情况可能有（）。对Χ射线和γ射线防护而言,由于有关修正因数为1,
- 在切装胶片时,胶片与胶片、胶片与某些物体发生摩擦而产生静电使胶片感光,在射线照片上形成伪缺陷之一的静电斑纹,其基本形态是（）。波阵面中波的（）称为波线。探头匹配了阻尼块以后,使始脉冲变窄,盲区变小,分辨力（
- （）曲线是给定X射线机在选定工艺条件下制作的。A型显示是指探头接收到的信号幅度和超声波的传播时间以（）表示的显示方式。曝光#
胶片特性
非增感型
增感型直角坐标形式#
统计表形式
图像形式
以上都不对
- 在（）中,光子以全部能量转换成电子动能。接触法斜角探伤时,如果入射角达到第二临界角,会发生（）。用软电缆绕成线圈对零件进行纵向磁化,这种方式能够（）。光电效应#
康普顿效应
电子对生成效应
电离效应横波全反射
- 当射线能量范围在1～10MeV时,钢铁材料对射线的吸收起主导作用的是（）。在液体中可以传播的超声波型有（）。未经曝光而直接进行暗室处理后所得底片黑度称为（）。用软电缆绕成线圈对零件进行纵向磁化,这种方式能够（
- 射线透过物质时,电子对生成效应只能在入射射线光子能量达到（）时才能发生。1.02MeV
大于1.02MeV#
1020keV
小于1020keV
- 管电压为150kV时,辐射的X射线光子能量最大为（）。瑞利波是（）的一种,其振幅随着深度的增加而迅速减小。声波可绕过障碍物的边缘不按原来的方向而折向障碍物后面传播,计算透照场范围的公式为（）。192Ir的γ射线通过
- 康普顿效应中,散射光子的波长大于（）的波长。断裂韧度是用来反映材料（）的指标。换能器声压波动区域的长度主要取决于换能器的（）。常用的超声波脉冲是有多种频率成分的正弦波（）而成的机械波。可能造成零件形成
- 康普顿效应过程的特征是（）。（）是指沿着焊趾,在母材部分形成的凹陷或沟槽,它是由于电弧将焊缝边缘的母材熔化后没有得到熔敷金属的充分补充所留下的缺口。零件经过打磨、磨削或火焰去除缺陷后,下一步应当（）。磁
- 常见的用做X、γ射线防护材料的是（）。斜探头的斜楔一般采用有机玻璃的材料制成,它的主要功能是将（）,并按给定的折射角将横波透入试件。焊缝探伤中探头折射角的选择主要依据（）。射线胶片的组成是（）。贫化铀
铅
- X射线和γ射线的共同点是（）。增加显影时间会使胶片特性曲线（）。实际探伤中,所用X射线束是（）。下面（）不是退磁的正当理由。制定工件的磁化规范时,应考虑的参数是（）。都是电磁波的一种#
都是波长连续的一种电
- 对Χ射线和γ射线防护而言,由于有关修正因数为1,可以认为（）。原子的组成部分为（）。透过观片灯窗口的光照度为50000lx,若透过底片的光强不少于50lx,则该观片灯能观察底片的最大黑度值为（）。射线胶片的组成是（）。
- 单色窄束射线的半价层厚度约为1/10价层厚度的0.3倍；若已知线衰减系数μ,则1/10价层厚度为（）。晶片直径相同的超声波探头,频率高的其声束扩散角（）。发生光电效应几率的实验近似公式为（）。1.03/μ
2.3/μ#
3/μ
4.6/
- 半价层的大小与（）因素有关。换能器声压波动区域的长度主要取决于换能器的（）。在显影操作开始之前,胶片被溅上定影液,将会在射线照片上形成透明的斑点状的伪缺陷影像-定影斑点,其特点是（）。将零件从线圈中抽出时
- 射线的线质越硬,其半价层厚度越（）。在焊接过程中,工件受电弧热的不均匀加热而产生的内应力及变形是（）的。惠更斯原理在（）中获得了广泛的应用。水平线性的好坏影响缺陷（）的精度。（）迟到的时间与工件的长度和
- Χ射线、γ射线和α粒子有一个共同点,即它们都是（）。检测厚钢板采用垂直法探伤时,根据（）前后产生的回波情况进行缺陷评定。X射线管真空度不良会造成（）。最有效的退磁方法是（）。CSK-ⅢA试块的反射体孔径是（）。物
- 正确的是（）。关于重型B地中海贫血,下述哪一项不正确（）非电离辐射
间接电离辐射#
直接电离辐射
以上都不对纵波
横波
表面波、板波
A、B和C#1.67N以外进行
N以外进行
2N以外进行#
3N以外进行把磁粉很快地投入大量
- X,γ射线的主要区别是产生方法不同,但其（）相同。钢的分类可按化学成份、主要质量等级、主要性能及（）。（）是指同一时刻,介质中振动相位的所有质点所联成的面。。声压是指声波在传播过程中,介质某一点的（）超过没
- X射线与γ射线的区别是（）。当声程S≥6N（远场区）长度时,反射体的定量结果（）。一般放射性比活度高的源较理想,因其自吸收（）。后乳化渗透检验应在（）施加乳化剂。穿透能力不同
强度不同
产生机理不同#
A、B和C大
- 当射线能量范围在10～100keV时,钢铁材料对射线的吸收起主导作用的是（）。材料的加工工艺性能包括（）。射线透过物质时,电子对生成效应只能在入射射线光子能量达到（）时才能发生。光电效应#
康普顿效应
汤姆逊效应
- 发生光电效应几率的实验近似公式为（）。τ=kρ
τ=z2λ2
τ=kρzλ
τ=kρz4λ3#
- “光电效应”的光子能量按（）形式被吸收。在焊接过程中,工件受电弧热的不均匀加热而产生的内应力及变形是（）的。显影液中不可缺少的药品是（）。滤光片是高原子序数金属（如铜、钢、铅）制成,其作用是（）。磁粉探伤
- 低能射线以（）为主。下面有关“叠加效应”的叙述中,正确的是（）。一般来说,对仪器的衰减器精度要求是任意相邻12dB误差（）。光电效应#
康普顿效应
电子对生成效应
以上都对叠加效应是波型转换时产生的现象
叠加效应
- 某放射源的衰变常数λ=0.0035/天,因为其半衰期为（）。波源和弹性介质是（）的条件。5.3年
74天
127天
以上都不是#A、产生波动#
B、产生振荡
C、产生电磁波
D、产生光波
- 假定某γ放射源的衰变常数λ=0.021/年,则其半衰期为（）。设入射线强度为I0,透过射线强度为I,散射线强度为Is,则散射比n定义为（）。通常用（）改善退磁。5.3年
3.3年
33年#
75天Is/I#
Is/I0
I/I0
I0/I直流波动法
用绝
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