正确答案: B
            物理机械性能; 
            题目:冶金焦的()是指焦炭的筛分组成、耐磨性和抗碎性。
           
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                 [多选题]培养基灭菌是否彻底直接关系到生产过程的成败,灭菌失败主要不良后果包括()。
                                                
                  
                                                                         A、杂菌污染造成生产能力的下降 
                                                                                                 B、杂菌产物使目的产物的提取和分离变得非常困难 
                                                                                                                                             D、改变反应介质的pH值,使生物反应发生异常变化 
                                                                                                 E、杂菌可能会分解产物,使生产过程失败 
                                            
                
                
                            
                
                 [单选题]带气作业方案的编制应以不影响客户供气为(),必要时可安装旁通管作临时供气之用。
                                                
                  
                                                                                                                                                                                                             D、原则 
                                            
                
                
                            
                
                 [单选题]以下为终止运动试验的指征,但不包括()。
                                                
                  
                                                                                                                                                                                                             运动至Bruce方案3级时,收缩压升高30mmHg 
                                                                                        
                
                解析:运动至Bruce方案3级时,收缩压升高30mmHg是正常反应。 
                            
                
                 [多选题]使用滤线栅的注意事项,正确的是()
                                                
                  
                                                                         A.使用聚集式滤线栅时不可倒置 
                                                                                                                                                                                         D.摄片距离在栅焦距的允许范围内 
                                                                                                 E.相应增加摄片kV值或mAs