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下列有关局部电位的叙述,不正确的是()

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    动作电位(action potential)、不应期(refractory period)、神经纤维(nerve fibers)、去极化(depolarization)、膜电位(membrane potential)、效应器(effector)、锋电位(spike potential)、反射弧、离子通透性(ion permeability)

  • [单选题]下列有关局部电位的叙述,不正确的是()

  • A. 细胞受阈下刺激时产生
    B. 有不应期
    C. 电位的幅度随刺激强度而变化
    D. 电紧张性扩布
    E. 可以总和

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  • 学习资料:
  • [单选题]IPSP的产生,是由于突触后膜对下列哪种离子通透性(ion permeability)的增加()
  • A. Na+
    B. Ca2+
    C. K+、Cl-,尤其是Cl-
    D. Na+、K+、Cl-,尤其是Na+
    E. Na+、K+、Cl-,尤其是K+

  • [单选题]关于神经纤维动作电位的产生机制,下述哪项是错误的()
  • A. 其除极过程是由于K+内流形成的
    B. 其除极过程是由于Na+内流形成的
    C. 其复极过程是由于K+外流形成的
    D. 膜电位除极到阈电位时,Na+通道迅速大量开放
    E. 该动作电位的形成与Ca2+无关

  • [单选题]执行反射的全部结构()
  • A. 树突
    B. 效应器
    C. 突触
    D. 轴突
    E. 反射弧

  • [单选题]引起动作电位去极化的临界膜电位是()
  • A. 锋电位(spike potential)
    B. 阈电位
    C. 局部电位
    D. 动作电位
    E. 静息电位

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