可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）Ｖ。

【名词&注释】

制冷剂(refrigerant)、可控硅(scr)、放大系数(magnification factors)、压力表读数、歧管压力表(manifold pressure gauge)、反向击穿电压、高压侧压力(high side pressure)、共发射极(common emitter)

[单选题]可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）Ｖ。

A. 50
B. 80
C. 100
D. 120

查看答案&解析 查看所有试题

学习资料：

[单选题]三相同步发电机，当转速和励磁不变时，若负载增加，输出电压反而升高，则该负载特性为（）。

A. 电阻性的
B. 电容性的
C. 电感性的
D. 纯电容的

[单选题]晶体管共发射极^{(common emitter)}交流放大系数用（）表示。

A. α
B. β
C. ρ
D. κ

[单选题]歧管压力表读数与标准值相比较，高压侧压力^{(high side pressure)}偏低，而低压侧压力偏高，可能的原因是（）。

A. 制冷剂过多
B. 系统中有空气
C. 压缩机工作不良

本文链接：https://www.51bdks.net/show/k4r5r9.html