【导读】
必典考网发布2022集成电路制造工艺员(三级)题库每日一练精选(06月23日),更多集成电路制造工艺员(三级)题库的每日一练请访问必典考网集成电路制造工艺员题库频道。
1. [单选题]当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为()。
  A. 临界剂量 
  B. 饱和剂量 
  C. 无损伤剂量 
  D. 零点剂量 
 
2. [单选题]()是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。
  A. LPCVD 
  B. PECVD 
  C. CVD 
  D. PVD 
 
3. [多选题]在对层间绝缘膜进行CMP时,层间绝缘膜的表面会随下列那些因素产生变化()。
  A. 电路图形结构的凹凸 
  B. 尺寸大小 
  C. 位置分布 
  D. 高度 
  E. 密集程度 
 
4. [单选题]阳树脂用盐酸做再生液,浓度为()溶液可用原水配制。
  A. 5% 
  B. 10% 
  C. 15% 
  D. 20% 
 
5. [多选题]静电释放带来的问题有哪些()。
  A. 金属电迁移 
  B. 金属尖刺现象 
  C. 芯片产生超过1A的峰值电流 
  D. 栅氧化层击穿 
  E. 吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片表面 
 
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