关于突触叙述不正确的是（）。

【名词&注释】

神经细胞(neuron)、超极化(hyperpolarization)、同步化(synchronization)、去极化(depolarization)、兴奋性突触后电位(excitatory postsynaptic potential)、化学性(chemical)、效应器(effector)、绝对不应期(absolute refractory period)、反射弧、相对不应期(relative refractory period)

[单选题]关于突触叙述不正确的是（）。

A. 递质的释放是以胞裂外排的形式进行的
B. 化学性突触的突触前成分由轴突末梢形成
C. 化学性突触中以轴-树突触和轴-体突触最常见
D. 化学性突触使相邻的许多神经成分的活动同步化
E. 化学性突触的突触后成分是由神经元胞体或其树突分支形成的

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学习资料：

[单选题]兴奋性突触后电位是指在突触后膜上发生的电位变化，被称作（）。

A. 极化
B. 超极化
C. 后电位
D. 复极化
E. 去极化

[单选题]兴奋在中枢神经系统内，神经元间化学传递的下列特征中，哪一项是错误的（）。

A. 单向传递
B. 不衰减
C. 时间延搁
D. 易疲劳
E. 电化学反应

[单选题]细胞的绝对不应期^{(absolute refractory period)}时间为（）。

A. 0.001s0
B. 0.01s
C. 0.2s
D. 0.0001s
E. 0.02s

[单选题]神经细胞在接受一次阈上刺激后，兴奋性的周期变化是（）。

A. 绝对不应期^{(absolute refractory period)}-相对不应期^{(relative refractory period)}-低常期-超常期
B. 相对不应期^{(relative refractory period)}-绝对不应期^{(absolute refractory period)}-超常期-低常期
C. 绝对不应期^{(absolute refractory period)}-低常期-相对不应期^{(relative refractory period)}-超常期
D. 绝对不应期^{(absolute refractory period)}-相对不应期^{(relative refractory period)}-超常期-低常期
E. 绝对不应期^{(absolute refractory period)}-超常期-低常期-相对不应期^{(relative refractory period)}

[单选题]实现神经元信息传递的结构是（）。

A. 树突
B. 效应器^(effector)
C. 突触
D. 轴突
E. 反射弧

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