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已知某存储芯片的地址线为12根,则其存储容量至少为()

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    低电平(low level)、放大器、存储容量(storage capacity)、高电平(high level)、电流串联负反馈(series electric circuit negative feedba ...)、电流并联负反馈(current-shunt negative feedback)、电压串联负反馈(voltage series connection negative feed ...)、存储芯片(memory chip)、电压并联负反馈(negative feedback of voltage parallel)

  • [单选题]已知某存储芯片(memory chip)的地址线为12根,则其存储容量至少为()

  • A. A、1KB
    B. B、2KB
    C. C、4KB
    D. D、8KB

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  • 学习资料:
  • [单选题]为了提高放大器输出电压的稳定性,并降低此放大器对前级电路的影响,应采用的反馈方式是()
  • A. A、电压串联负反馈(voltage series connection negative feed)
    B. B、电压并联负反馈(negative feedback of voltage parallel)
    C. C、电流串联负反馈
    D. D、电流并联负反馈

  • [单选题]一与门、一或门的一个输入端接低电平0,则其各自的输出为()
  • A. A、均为高电平1
    B. B、均为低电平0
    C. C、与门的输出为1,或门的输出不确定
    D. D、与门的输出为0,或门的输出不确定

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