必典考网

LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子

  • 下载次数：
  • 支持语言：
  • 1142
  • 中文简体
  • 文件类型：
  • 支持平台：
  • pdf文档
  • PC/手机

  • 【名词&注释】

    等离子体(plasma)

  • [判断题]LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。

  • 查看答案&解析 查看所有试题
  • 学习资料：
  • 本文链接：https://www.51bdks.net/show/d0y444.html
    • 推荐阅读

    集成电路工艺原理题库题库下载排行
    必典考试
    集成电路工艺原理题库题库最新资料
    @2019-2025 必典考网 www.51bdks.net 蜀ICP备2021000628号 川公网安备 51012202001360号