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扁顶的主要技术指标中极限压力应为()。

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    热处理(heat treatment)、单晶硅(single crystal silicon)、主要技术指标(main technical specifications)、优等品(superior product)、合格品(qualified product)、一等品(prime article)

  • [单选题]扁顶的主要技术指标中极限压力应为()。

  • A. 380kN
    B. 400kN
    C. 450kN
    D. 480kN

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  • 学习资料:
  • [多选题]普通混凝土小型空心砌块标准中普通混凝土小型空心砌块按其尺寸偏差,外观质量分为()。
  • A. A、优等品
    B. B、一等品(prime article)
    C. C、二等品
    D. D、合格品(qualified product)

  • [单选题]常见的齿轮材料20CrMnTi的最终热处理工艺应该是()
  • A. A、调质
    B. B、淬火+低温回火
    C. C、渗碳
    D. D、渗碳后淬火+低温回火

  • [单选题]填充墙砌体砌筑,应待承重主体结构检验批验收合格后进行。填充墙与承重主体结构间的空隙部位施工,应在填充墙砌筑()后进行。
  • A. 7d
    B. 14d
    C. 28d
    D. 36d

  • [多选题]原位双剪法检测时,对于测试步骤以下说法正确的是()。
  • A. A.试件两端的灰缝应清理干净
    B. B.开凿清理过程中,严禁扰动试件
    C. C.发现被推砖块有明显缺棱掉角或上、下灰缝有松动现象时,应舍去该试件
    D. D.被推砖的承压面应平整,不平时应用扁砂轮等工具磨平

  • [单选题]KH,SM(),生料难道;反之易烧。SM,IM()难烧,要求较高的烧成温度。
  • A. 高低
    B. 低高
    C. 低低
    D. 高高

  • [单选题]水泥熟料烧成后进行()对改善熟料质量有很大好处。
  • A. A、慢冷
    B. B、室温冷却
    C. C、急冷
    D. D、先慢冷再急冷

  • [单选题]直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段?()
  • A. A、6
    B. B、2
    C. C、4
    D. D、5

  • [单选题]如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为()。
  • A. A.施主B.受主C.复合中心D.两性杂质

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