在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）

【名词&注释】

自由电子(free electron)、输入电阻(input resistance)、输出电阻(output resistance)、正离子(positive ion)、结电容(junction capacitance)、饱和状态(saturation state)、共价键(covalent bond)、半波整流电路、单相半波整流、集电结(collector junction)

[单选题]在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。

A. A．空穴／自由电子
B. B．自由电子／空穴
C. C．空穴／共价键^{(covalent bond)}电子
D. D．负离子／正离子

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[单选题]关于P型半导体的下列说法，错误的是（）。

A. A．空穴是多数载流子
B. B．在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极
C. C．在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体
D. D．在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成

[单选题]若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后，若以空穴导电为主的称（），若以自由电子导电为主的称（）。

A. A．PNP型半导体／NPN型半导体
B. B．N型半导体／P型半导体
C. C．PN结／PN结
D. D．P型半导体／N型半导体

[单选题]半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要特性是（）。

A. A．具有放大特性
B. B．具有单向导电性
C. C．具有改变电压特性
D. D．具有增强内电场特性

[单选题]稳压管的稳压功能通常是利用下列（）特性实现的。

A. A．具有结电容，而电容具有平滑波形的作用
B. B．PN结的单向导电性
C. C．PN结的反向击穿特性
D. D．PN结的正向导通特性

[单选题]具有电容滤波器的单相半波整流电路，若变压器副边电压有效值U＝20V，则二极管承受的最高反向电压为（）。

A. A．20V
B. B．28.2V
C. C．40V
D. D．56.4V

[单选题]晶体管工作在放大区的条件是（）。

A. A．发射结正向偏置，集电结^{(collector junction)}反向偏置
B. B．发射结反向偏置，集电结^{(collector junction)}正向偏置
C. C．发射结正向偏置，集电结^{(collector junction)}正向偏置
D. D．发射结反向偏置，集电结^{(collector junction)}反向偏置

[单选题]已知一晶体管的E、B、C三个极的电位分别为0.5V、1.2V、5.6V，此管工作于（）状态，此管属（）型。

A. A．饱和／NPN
B. B．放大／NPN
C. C．饱和／PNP
D. D．放大／PNP

[单选题]晶体管处于饱和状态时，它的集电结^{(collector junction)}（）偏，发射结（）偏。

A. A．正／反
B. B．反／正
C. C．正／正
D. D．反／反

[单选题]理想的运算放大器应具有的特性是（）。（Au开环电压放大倍数，ri输入电阻，r0输出电阻）

A. A．Au→∞ri→∞r0→0
B. B．Au→∞ri→0r0→∞
C. C．Au→∞ri→∞r0→∞
D. D．Au→0ri→0r0→0

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